VBsemi | 探讨 SiC MOSFET 的短路检测和保护技术

VBsemi | 探讨 SiC MOSFET 的短路检测和保护技术

SiC MOSFET 凭借着耐高压、耐高频、耐高温等独特优势，受到许多人关注。

SiC MOSFET 凭借着耐高压、耐高频、耐高温等独特优势，受到许多人关注。在电子应用中经常会出现短路问题，今天微碧VBsemi就 SiCMOSFET的短路检测情况进行展开了解。

         

  • 常见的SIC MOSFET的短路类型有两种：软开关短路和负载短路故障。

         

  • 软开关短路：在开关操作过程中，由于某种原因导致开关器件无法及时断开电流，从而导致电流在开关器件上持续流动，出现短路现象。

         

  • 负载短路故障：负载端突然出现短路。由于负载器件损坏、接线错误或外部环境影响等原因引起的。当负载短路发生时，电流会迅速增加，导致SiC MOSFET过载并可能损坏。

         

  • 一般SIC MOSFET会出现短路的原因:

         

1.过电压：长时间受到超过其额定电压的电压，导致绝缘层击穿或氧化层破裂。

         

2.过电流：SiC MOSFET 被额定电流以上的过大电流击穿，导致输电通道内部结构受损，导致短路。

         

3.温度过高：SiC MOSFET 运行在超过其允许的温度范围内时，温度过高会引起材料的热膨胀、电子迁移导致短路。

         

4.设计问题：材料选择不当、电压和电流过大、电极之间的间隙不合适等都可能引起短路。

         

  • SiC MOSFET的短路检测和保护可以通过以下几种方法实现：

         

1.短路检测方法：可以使用电流检测技术来实现短路检测。

 例如使用：霍尔传感器或电流变压器，因此来检测电流变化。当电流超过设定的阈值时，可以判断出发生了短路故障。

         

2.短路保护技术：在检测到短路故障后，取一些保护措施。

         

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使用过流保护电路来切断电流，以避免电流过大损坏器件。

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使用温度保护电路来监测芯片温度，当温度超过设定值时，自动切断电流。

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使用短路保护电路来监测电流上升速度，当电流上升速度过快时，可以判断为短路故障并进行保护。

         

3.短路关断策略：在短路故障发生时，可以选择快速关断SiC MOSFET来避免损坏。通过使用适当的关断电路，可以实现快速关断时间，提高短路保护的效果。

         

4.其它保护措施：采用电流限制技术来限制电流，以防止过大电流损坏器件。在设计电路时，还可以考虑电路的布局和散热设计，以提高SiC MOSFET的短路承受能力。当然，选择性能较好的SIC MOSFET产品也是很重要的。买电子元器件现货上唯样商城

         

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微碧碳化硅MOS管（SiC MOSFET）采用了硅和宽带隙技术，具有更大的功率效率、更小的尺寸、更轻的重量、更低的总体成本等优势。适用于600V以上的高压场景，包括光伏、新能源汽车、充电桩、风电、轨道交通等电力电子领域。

         

         

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